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芯能半導(dǎo)體新推出一款1200V800A C2模塊，該模塊采用自主研發(fā)的基于MPT工藝平臺的IGBT和發(fā)射極控制技術(shù)的FRD，封裝兼容62mm。

2024年6月11-13日，深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司受邀參加德國紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會（PCIM Euorpe）

芯能半導(dǎo)體通過"廣東省工程中心"認定

芯能半導(dǎo)體新推出一款1200V_1000A C5模塊，該模塊采用高性能、高可靠性的1200V SiC MOSFET。Xiner Semiconductor has launched a new 1200V_1000A C5 power module, which uses 1200V SiC MOSFETs with high performance and high reliability.

2024年4月11日，芯能半導(dǎo)體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接儀式在合肥安巢經(jīng)開區(qū)舉行，本次交接項目為一棟三層半結(jié)構(gòu)，約13000m2。合肥安巢經(jīng)開區(qū)管委會代表、芯能半導(dǎo)體公司代表等共同見證這一重要時刻。

芯能半導(dǎo)體新推出一款1200V600A C2模塊，該模塊采用芯能自主研發(fā)的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發(fā)射極控制技術(shù)的FRD芯片。主要應(yīng)用在光伏、儲能、電機控制器等領(lǐng)域。

芯能半導(dǎo)體推出基于SiC-MOS IPM的汽車空調(diào)應(yīng)用方案

2023年10月30日，慕尼黑華南電子展如期舉行

關(guān)于防范不法分子假冒本公司產(chǎn)品從事欺詐活動的公告

芯能半導(dǎo)體正在推出下一代V系列芯片